jbo竞博-一种耗尽型工艺锂电池充电保护芯片的设计

中心议题：　　*系统结构的设计　　*关键电路的构建　　*芯片的测试结果　　解决方案：　　概要：明确提出了一种基于消耗型工艺的单节锂离子电池电池维护芯片设计。阐释了此芯片的设计思想及系统结构，并对芯片关键电路的独有设计方法及原理展开了详细分析，尤其是基准电路和偏置电路，利用消耗型工艺使电路具备非常低的电源启动电压和功耗。在Hspice中建模了使用0.6m的n阱有序金属氧化物半导体（CMOS）工艺制作全局芯片的测试结果。

检验了此芯片具备过电压检测、过电流检测、0V电池电池禁令等功能，可用作单节锂离子电池电池的一级维护。　　章节　　便携式电子产品相反轻量化、超强小型化发展，为此锂离子电池获得广泛应用，较为少见的负极材料为钴酸锂和锰酸锂的锂离子电池，还有磷酸铁锂电池和磷酸铁锰电池等。锂离子电池以能量低、寿命长、无记忆性、无污染等特点分列在电池行业的最前茅。

但是锂离子电池和其他很多类型的电池一样不易经常出现过充电、过静电等现象，这些情况对锂离子电池更容易导致伤害，从而延长它的使用寿命。所以拒绝锂电池电池不应具备一级维护功能。　　目前国内还没这种电池维护的核心技术，本文设计了一种锂离子电池电池维护电路，此维护电路的电压、电流源基于消耗型工艺设计，便于构建低功耗。

另外此维护电路的供电电压源于电池电压，所以拒绝此维护芯片在电池电压变化范围（1~8V）内长时间工作。本文设计的维护电路以低功耗、高精度、低能量密度、低内阻、低安全性等特性脱颖而出，因此这种锂离子电池维护电路的应用于获得了普及。　　1系统结构的设计　　此芯片是单节电池的维护电路并且过电压、过电流的检测延迟时间是可转变的，其系统设计框图如图1右图，芯片设计VDD、VSS、DP、CO、DO、VM6个插槽。

一般来说情况下，即电池没有再次发生过充电、过静电事件时，CO、DO都为高电平，DP端子悬空，图1中右半部分的6个MOSFET是耐热高压管。　　工作原理是通过监控相连在VDD和VSS之间的电池电压及VM和VSS之间的电压劣掌控充电器的电池和静电。

本文来源：jbo竞博-www.maimangjy.com